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纳米SOI材料关键制备工艺及产业化（中科院）

编号：S000000164 刷新日期：有效日期至：2018-10-29 浏览：2617 次对接邀请：0次

意向价格：面议

行业分类：软件和信息技术服务业

所在区域：中国 - 上海技术领域： -

转让类型：技术转让

专利类型：非专利技术成熟度：可以量产

供应描述

在先期工作的基础上,进一步研究了高剂量离子注入的物理机理,掌握了低剂量注入形成纳米SOI的技术。通过系统研究并优化SIMOX的注入和退火工艺,解决了SIMOX材料金属沾污、顶层硅和氧化埋层缺陷密度等产业化关键技术,实现了4-6英寸SIMOX纳米材料产业化,年产能力达2万片以上。掌握了氢、氦离子共注形成纳米空腔层的机理,攻克了键合等的关键技术,研制成功3-4英寸Smart-cut SOI材料。同时也发展了多孔硅外延层转移制备SOI的新技术,掌握了高质量多孔硅的制备、单晶硅的外延、键合和剥离等一系列关键技。采用Smart-cut技术和多孔硅外延层转移技术制备出了以AlN和SiO_2/Si_3N_4为埋层的SOI新结构,计算机模拟结果表明这些SOI新结构可有效克服器件的自加热效应。在国际上首次采用膺晶SiGe材料成功制备了高速器件用的SiGe－OI新结构。

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