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一种低温烧结氮化硅基复相材料及其制备方法（中科院）

编号：S000000156 刷新日期：有效日期至：2018-10-29 浏览：2270 次对接邀请：0次

意向价格：面议

行业分类：软件和信息技术服务业

所在区域：中国 - 上海技术领域： -

转让类型：技术转让

专利类型：非专利技术成熟度：可以量产

供应描述

本项目研究目的是提供一种用于电子封装的低温烧结AlN基复相材料及其制备方法。设计了硼硅酸盐系列组成的低熔点玻璃,并添加适当的烧结助剂,在 850～1000℃的温度下成功制备了低温烧结AlN/玻璃复合材料。从理论上研究了AlN颗粒度对导热性能的影响。通过设计材料的组成,提高复相材料的综合性能。使材料的热导率提高到11W/m·K.获得了低的介电常数4.5～7（室温,1MHZ）,热膨胀系数控制在2.6～4.5×10^（-6）/K,能很好地满足高密度封装地需要。采用了独特的低温烧结工艺,在压力和液相粘流的共同作用下,AlN含量在50～80wt%组成的复相材料在低于1000℃下,2小时内即可达到致密化。本项目还进行了AlN/玻璃复合基板的流延成型以及金属布线等相关技术的研究,为AlN/玻璃复合基板材料在低温共烧工艺中的应用打下了良好的基础。

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