c轴垂直膜面取向的M型钡铁氧体薄膜的制备方法，属于电子材料技术。本发明包括以下步骤：步骤A：超声波清洗基片表面的杂质；步骤B：溅射一层厚度为20~50nm的非晶BaFe₁₂O₁₉缓冲层；步骤C：将基片温度继续加热到500℃，以5nm/min的溅射速率在30nm厚的非晶BaFe₁₂O₁₉缓冲层上继续溅射一层500-1000nm的非晶BaFe₁₂O₁₉薄膜；步骤D：退火晶化处理。经过本发明工艺制备出的M型钡铁氧体（BaM）薄膜，易磁化轴c轴垂直膜面取向，同时具有较高的饱和磁化强度、较好的结构和性能上的各向异性，可应用于微波/毫米波磁性器件、垂直磁记录介质材料中。